目前高亮和超高亮LED已經(jīng)占到中國LED市場的85%,是中國LED市場的成長動力。2009年,高亮度LED占中國LED市場的72.5%,超高亮LED占比約14%,同比增長18.7%和29.8%,而普通亮度LED市場縮小了6.5%。2012年,中國LED市場將達(dá)到402億元的規(guī)模,而其中高亮LED和超高亮LED市場為261.4億元和88.5億元,2010-2012年間的平均增長率為21%和38%。LED照明是高亮和超高亮LED的重要應(yīng)用市場。LED照明包括景觀照明、路燈、汽車照明、室內(nèi)照明、室內(nèi)裝飾、交通指示燈等。2009年按亮度分,中國LED照明市場中,有20.4%使用了超高亮LED,有68.4%使用了中高亮度LED,而普通LED僅占11.2%。2009~2012年間,中國LED照明市場將保持22%左右的增長速度,2012年市場規(guī)模將從2009年的80.5億元提高到146億元。顯示背光將成為高亮LED主要的增長市場。中國液晶背光顯示市場將強(qiáng)勁增長,2014年銷售額將從2010年的4.68億美元上升到12億美元,復(fù)合年度增長率為25.7%??焖俪砷L的中國電視機(jī)市場將給高亮LED帶來市場機(jī)會,2013年,大陸液晶電視出貨量將達(dá)到4860萬臺,LED背光的滲透率約為50%,需要LED97.2億顆。
技術(shù):自主創(chuàng)新任重道遠(yuǎn)
中國希望通過開發(fā)Si和GaN襯底的功率型GaN基LED,以減少國外專利的限制。藍(lán)寶石和SiC是最常用的兩種GaN基LED襯底,但前者的專利技術(shù)被日本日亞公司壟斷,而后者則被美國CREE公司壟斷。南昌大學(xué)與廈門華聯(lián)電子有限公司合作承擔(dān)的國家863計劃項目"基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)",已于2010年通過科技部項目驗收??鐕鴱S商早期在中國建立了LED封裝廠,現(xiàn)在正逐漸把外延、芯片等前段制程也轉(zhuǎn)移到中國來,其中以臺灣企業(yè)最為積極。2009年底,CREE開始在惠州建設(shè)LED芯片廠,這是CREE在北美以外的第一個芯片生產(chǎn)基地,CREE計劃將LED外延片加工部分的技術(shù)引進(jìn)中國。2010年5月,力晶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園LED晶片項目在徐州開工,總投資42億美元,將建設(shè)100條MOCVD藍(lán)光LED晶片生產(chǎn)線,以及8英寸、12英寸晶圓生產(chǎn)線。2010年4月,臺灣晶元光電在常州的LED外延和芯片生產(chǎn)基地開始建設(shè),總投資6億美元,一期總投資3.6億美元,將投入30臺MOCVD外延爐。