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    12月1日獲悉，富士通半導體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵(GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。

    最近，富士通半導體開始與富士通研究所(Fujitsu Laboratories Limited) 合作進行技術(shù)開發(fā)，包括開發(fā)工藝技術(shù)來增加硅基板上的高質(zhì)量GaN晶體數(shù)量；開發(fā)器件技術(shù)，如優(yōu)化電極的設計，來控制開關期間導通電阻的上升；以及設計電源單元電路布局來支持基于GaN的器件的高速開關。這些技術(shù)開發(fā)結(jié)果使富士通半導體在使用GaN功率器件的功率因數(shù)校正電路中成功實現(xiàn)了高于傳統(tǒng)硅器件性能的轉(zhuǎn)換效率。富士通半導體還設計了一種具有上述功率因數(shù)校正電路的服務器電源單元樣品，并成功實現(xiàn)了2.5kW的輸出功率。將該項技術(shù)的開發(fā)成功也意味著富士通半導體鋪平了其GaN功率器件用于高壓、大電流應用的道路。

    富士通半導體最近在其會津若松工廠建成了一條6英寸晶圓大規(guī)模生產(chǎn)線，并將在2013年下半年開始GaN功率器件的滿負荷生產(chǎn)。今后，通過提供針對客戶應用而優(yōu)化的功率器件以及電路設計技術(shù)支持，富士通半導體將支持用途廣泛的低損耗、高集成的電源單元的開發(fā)。富士通半導體希望其GaN功率器件銷售收入在2015財年達到約100億日元。